
- 制造廠商:東芝半導(dǎo)體
- 類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè),器件封裝:8-SOP(5.5x6.0)
- 技術(shù)參數(shù):MOSFET N-CH 30V 11A 8SOP
- 豐富的東芝半導(dǎo)體公司產(chǎn)品,東芝半導(dǎo)體芯片采購平臺(tái)
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TPC8014(TE12L,Q,M) 技術(shù)參數(shù)詳情:
- 制造商產(chǎn)品型號(hào):TPC8014(TE12L,Q,M)
- 制造商:東芝半導(dǎo)體(Toshiba Semiconductor)
- 描述:MOSFET N-CH 30V 11A 8SOP
- 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)
- 產(chǎn)品系列:-
- 零件狀態(tài):停產(chǎn)
- FET類型:N 通道
- 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
- 漏源電壓(Vdss):30V
- 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id):11A(Ta)
- 驅(qū)動(dòng)電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V
- 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):14 毫歐 @ 5.5A,10V
- 不同Id時(shí)Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA
- 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值):39nC @ 10V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)(最大值):1860pF @ 10V
- FET功能:-
- 功率耗散(最大值):1W(Ta)
- 工作溫度:150°C(TJ)
- 安裝類型:表面貼裝型
- 器件封裝:8-SOP(5.5x6.0)
- TPC8014(TE12L,Q,M)優(yōu)勢(shì)代理貨源,國內(nèi)領(lǐng)先的東芝半導(dǎo)體芯片采購服務(wù)平臺(tái)。

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