產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：東芝半導(dǎo)體
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)，器件封裝：DPAK+
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET P-CH 60V 8A DPAK
- 豐富的東芝半導(dǎo)體公司產(chǎn)品，東芝半導(dǎo)體芯片采購(gòu)平臺(tái)
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TJ8S06M3L(T6L1,NQ) 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號(hào)：TJ8S06M3L(T6L1,NQ)
- 制造商：東芝半導(dǎo)體（Toshiba Semiconductor）
- 描述：MOSFET P-CH 60V 8A DPAK
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)
- 產(chǎn)品系列：U-MOSVI
- 零件狀態(tài)：有源
- FET類型：P 通道
- 技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
- 漏源電壓（Vdss）：60V
- 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：8A（Ta）
- 驅(qū)動(dòng)電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：6V，10V
- 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：104 毫歐 @ 4A，10V
- 不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：3V @ 1mA
- 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：19nC @ 10V
- Vgs（最大值）：+10V，-20V
- 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：890pF @ 10V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：27W（Tc）
- 工作溫度：175°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 器件封裝：DPAK+
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