產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：東芝半導(dǎo)體
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個，器件封裝：DPAK+
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET P-CH 60V 30A DPAK
- 豐富的東芝半導(dǎo)體公司產(chǎn)品，東芝半導(dǎo)體芯片采購平臺
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TJ30S06M3L(T6L1,NQ 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：TJ30S06M3L(T6L1,NQ
- 制造商：東芝半導(dǎo)體（Toshiba Semiconductor）
- 描述：MOSFET P-CH 60V 30A DPAK
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個
- 產(chǎn)品系列：U-MOSVI
- 零件狀態(tài)：有源
- FET類型：P 通道
- 技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
- 漏源電壓（Vdss）：60V
- 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：30A（Ta）
- 驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：6V，10V
- 不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻（最大值）：21.8 毫歐 @ 15A，10V
- 不同Id時Vgs(th)（最大值）：3V @ 1mA
- 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：80nC @ 10V
- Vgs（最大值）：+10V，-20V
- 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：3950pF @ 10V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：68W（Tc）
- 工作溫度：175°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 器件封裝：DPAK+
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