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Toshiba
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RN1109MFV,L3F 圖片
  • 制造廠商:東芝半導體
  • 類別封裝:晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預偏置,封裝:SOT-723
  • 技術參數:TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
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RN1109MFV,L3F 技術參數詳情:
  • 制造商產品型號:RN1109MFV,L3F
  • 制造商:東芝半導體(Toshiba Semiconductor)
  • 描述:TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
  • 系列:晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預偏置
  • 零件狀態:有源
  • 晶體管類型:NPN - 預偏壓
  • 電流-集電極(Ic)(最大值):100mA
  • 電壓-集射極擊穿(最大值):50V
  • 電阻器-基極(R1):47 kOhms
  • 電阻器-發射極(R2):22 kOhms
  • 不同?Ic、Vce?時DC電流增益(hFE)(最小值):70 @ 10mA,5V
  • 不同?Ib、Ic時?Vce飽和壓降(最大值):300mV @ 500μA,5mA
  • 電流-集電極截止(最大值):500nA
  • 頻率-躍遷:-
  • 功率-最大值:150mW
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 封裝:SOT-723
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