
與傳統(tǒng)的硅功率半導(dǎo)體相比,GaN和 SiC(碳化硅)具有更高的電壓能力、更快的開關(guān)速度、更高的工作溫度、更低的導(dǎo)電阻、功耗小、能效高等優(yōu)異性能 , 是近年來新興的半導(dǎo)體材料。但它們也有不同的特點(diǎn),簡(jiǎn)單地說,GaN開關(guān)速度比 SiC 快,SiC 工作電壓比 GaN 更高。GaN寄生參數(shù)極小,開關(guān)速度極高,更適合電動(dòng)汽車等高頻應(yīng)用 DC-DC(直流 - 直流)轉(zhuǎn)換電路,OBC(車載充電)、低功率開關(guān)電源、蜂窩基站功率放大器、雷達(dá)、衛(wèi)星發(fā)射器、通用射頻放大器等。SiCMOSFET(金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)的高壓高電流能力和驅(qū)動(dòng)特性,使其適用于列車逆變器系統(tǒng)、工業(yè)電源、太陽能逆變器、 UPS(不間斷電源)高性能開關(guān)電源等,可大大提高效率、功率密度等性能。
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黃文源, 東芝電子元件(上海)有限公司半導(dǎo)體技術(shù)總括部技術(shù)規(guī)劃部 高級(jí)經(jīng)理
東芝作為 SiC 和 GaN 早期產(chǎn)品研發(fā)者之一,有自己獨(dú)特的 SiC 和 GaN 產(chǎn)品技術(shù)。今年年初,東芝推出了兩種新型碳化硅(SiC)MOSFET 雙模塊——MG600Q2YMS3 和 MG400V2YMS3。這兩個(gè)新模塊在安裝方法中應(yīng)用廣泛 IGBT 模塊、低損耗特性滿足工業(yè)設(shè)備提高效率、降低尺寸的需要,適用于逆變器和轉(zhuǎn)換器、可再生能源發(fā)電系統(tǒng)、電機(jī)控制設(shè)備、高頻 DC-DC 轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用場(chǎng)景。在 GaN方面,今年 1 月 31 日東芝發(fā)布了第一個(gè)集成在半橋的日東芝(HB)分流模塊MOS電流傳感器。當(dāng)用于氮化鎵時(shí)(GaN)傳感器設(shè)備和其他設(shè)備時(shí),傳感器可以使電力電子系統(tǒng)具有較高的電流監(jiān)測(cè)精度,但不會(huì)增加功率損耗,并有助于減少此類系統(tǒng)和電子設(shè)備的尺寸。
碳中和需要更高效的電子設(shè)備,特別是小型系統(tǒng)。然而,由于電感器兩側(cè)必須安裝半橋模塊和電流傳感器,因此很難將其集成在芯片上。由于這取決于分流電阻,電流檢測(cè)可以降低功耗(減少熱量)和精度。雖然今天的技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)高精度電流傳感器,但它不能減少損失。東芝新技術(shù)采用級(jí)聯(lián)共源共柵,低壓 MOSFET 與 GaN 電流傳感采用場(chǎng)效應(yīng)晶體管連接,因此無需使用分流電阻,避免其功耗。此外,還可以保證電路優(yōu)化和尖端校準(zhǔn)技術(shù) 10 MHz 上述帶寬可提高產(chǎn)品性能和測(cè)量精度。這種集成到半橋模塊的新型 IC 電容器和電感器的尺寸不僅提高了開關(guān)頻率,而且有助于電子設(shè)備的小型化。
另外,就 GaN 就設(shè)備技術(shù)而言,東芝的新型 GaN 共源共柵器件與傳統(tǒng)的共源共柵器件有很大的不同,因?yàn)楣苍垂矕判鸵蕾嚬?MOSFET 來驅(qū)動(dòng) GaN HEMT,因此,通常很難通過外部柵極電阻控制開關(guān)速度。然而,東芝通過推出直接?xùn)艠O驅(qū)動(dòng)器來解決這個(gè)問題 IC 可直接驅(qū)動(dòng) GaN HEMT,改變開關(guān)速度,就像硅功率器件一樣,有助于簡(jiǎn)化功率電子系統(tǒng)的整體設(shè)計(jì)。這種新型共源共柵器件的另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是,由于GaN HEMT 格柵極是獨(dú)立控制的,因此新設(shè)備不會(huì)因外部電壓波動(dòng)而引起硅MOSFET電壓變化導(dǎo)致誤導(dǎo),有助于系統(tǒng)穩(wěn)定運(yùn)行。所以該新器Microsemi代理該部件具有電源應(yīng)用所需的可靠性。本產(chǎn)品運(yùn)行穩(wěn)定,簡(jiǎn)化了系統(tǒng)設(shè)計(jì),可有效降低開關(guān)誤導(dǎo)造成額外能量損失的風(fēng)險(xiǎn),輕松調(diào)整開關(guān)速度,是電力電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)中需要考慮的重要因素。
(注:本文自轉(zhuǎn)載《IC2022年7月,代理商
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