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瑞士半導(dǎo)體意法（STMicroelectronics）推出了MasterGaN，第一個(gè)嵌入硅基半橋驅(qū)動(dòng)芯片和一對(duì)氮化鎵（GaN）晶體管平臺(tái)。該集成解決方案將加快下一代緊湊高效的充電器和電源適配器的開(kāi)發(fā)，并用于高功率電子和工業(yè)應(yīng)用。

意法半導(dǎo)體（ST）表示，其MasterGaN該方法可縮短產(chǎn)品上市時(shí)間，Mini-Circuits代理并保證了預(yù)期的性能，使包裝更小、更簡(jiǎn)單、更少的電路組件和更高的系統(tǒng)可靠性。據(jù)估計(jì)，在此幫助下GaN技術(shù)和ST對(duì)于集成產(chǎn)品，充電器和適配器的尺寸將比普通硅基解決方案減少80%，重量將減少70%。

MasterGaN平臺(tái)利用STDRIVE 600V柵極驅(qū)動(dòng)器和GaN晶體管具有高電子遷移率（HEMT）。9mm x 9mm的薄型GQFN高壓板與低壓板之間的爬電距離超過(guò)2mm設(shè)計(jì)高壓應(yīng)用。

該系列設(shè)備將跨越不同的設(shè)備GaN晶體管尺寸（RDS（ON）），并以引腳兼容的半橋產(chǎn)品的形式提供，使工程師能夠以最小的硬件變化來(lái)擴(kuò)展設(shè)計(jì)。GaN該產(chǎn)品在高端高效拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中表現(xiàn)出卓越的效率和整體性能，具有晶體管低導(dǎo)通損耗和無(wú)體二極管恢復(fù)的特點(diǎn)。

意法半導(dǎo)體（ST）推出了具有MasterGaN1.新平臺(tái)包括兩個(gè)GaN以半橋形式連接的功率晶體管，集成了高端和低端驅(qū)動(dòng)器。具體來(lái)說(shuō)，MasterGaN1包括兩個(gè)常關(guān)晶體管，時(shí)序參數(shù)緊密匹配，最大額定電流為10A和150mΩ導(dǎo)通電阻（RDS（ON））。邏輯輸入與3.3V至15V信號(hào)兼容。它還內(nèi)置了低端和高端等綜合保護(hù)功能UVLO保護(hù)、互鎖、專用停機(jī)引腳和過(guò)熱保護(hù)。