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提高電機(jī)系統(tǒng)的能效 響應(yīng)國(guó)家雙碳政策
(2025年5月21日更新)


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響應(yīng)雙碳政策 功耗問(wèn)題不容忽視

2020年,東芝集團(tuán)在碳達(dá)峰和碳中和問(wèn)題上變得越來(lái)越重要 年9 月18 已獲得SBT(Science Based Targets)認(rèn)定。SBT 組織認(rèn)定東芝至2030年 到今年為止,溫室氣體減排的目標(biāo)符合科學(xué)依據(jù),并符合《巴黎協(xié)定》,將全球平均氣溫控制在2個(gè)工業(yè)化前期 在攝氏度以?xún)?nèi),并努力將溫度上升幅度限制在1.5 攝氏度以?xún)?nèi)的要求。

為了實(shí)現(xiàn)上述目標(biāo),隨著當(dāng)前自動(dòng)化程度的不斷提高,電機(jī)系統(tǒng)的功耗不容忽視,涉及兩個(gè)關(guān)鍵因素,一個(gè)是設(shè)備本身的功耗,另一個(gè)是實(shí)現(xiàn)方法,即解決方案的功耗。東芝半導(dǎo)體作為電機(jī)驅(qū)動(dòng)集成電路的重要供應(yīng)商之一,始終致力于降低產(chǎn)品開(kāi)發(fā)設(shè)計(jì)、工藝和方案的能耗,降低現(xiàn)有工藝產(chǎn)品的功率Samsung代理加速第三代半導(dǎo)體的消耗(SiC/GaN)半導(dǎo)體展,不斷提高半導(dǎo)體設(shè)備對(duì)電子產(chǎn)品節(jié)能降耗的貢獻(xiàn)。其中,無(wú)刷電機(jī)就是其中之一。

圖1 東芝低壓MOSFET應(yīng)用

第三代半導(dǎo)體在第三代半導(dǎo)體的發(fā)展如火如荼,尤其是第三代半導(dǎo)體在功率器件上的出色表現(xiàn)。與硅(Si)碳化硅相比(SiC)介電擊穿強(qiáng)度高,飽和電子漂移速度快,導(dǎo)熱性高。因此,碳化硅裝置在半導(dǎo)體裝置中使用時(shí),可提供高耐壓、高速開(kāi)關(guān)和低導(dǎo)電阻。鑒于這一特點(diǎn),它將成為下一代低損耗裝置,有助于降低能耗和系統(tǒng)尺寸。

(本文來(lái)源《IC2022年3月,代理雜志

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