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眾所周知，由于俄烏戰(zhàn)爭(zhēng)，以美國(guó)為首的西方集團(tuán)一直在加強(qiáng)對(duì)向俄羅斯出口高科技產(chǎn)品的限制，特別是在IT許多西方科技公司已經(jīng)從俄羅斯市場(chǎng)撤離，俄羅斯目前在這些領(lǐng)域更加被動(dòng)和困難。

事實(shí)上，西方對(duì)俄羅斯的制裁并非從今年開(kāi)始，多年來(lái)一直存在，但之前的制裁和限制并沒(méi)有那么大。

然而，俄羅斯所謂的戰(zhàn)斗國(guó)家從未向困難和壓力低頭。面對(duì)嚴(yán)重困難，一些俄羅斯本土科技公司仍致力于自主研發(fā)，成績(jī)顯著。

最近，俄羅斯科技公司卡夫威（Kraftway）展示公司最新的ASIC v1 和 ASIC v2兩個(gè)固態(tài)硬盤(pán)已經(jīng)在俄羅斯制造Elbrus采用處理器設(shè)備。

采用這兩種固態(tài)硬盤(pán)PCIe 4.0標(biāo)準(zhǔn)最大的區(qū)別和意義在于，這是第一款配備俄羅斯國(guó)產(chǎn)控制器(俗稱(chēng)主控)的固態(tài)硬盤(pán)，主控型號(hào)為K1942VK018 ”。

K1942VK018主控基于RISC-V采用臺(tái)積電28架構(gòu)nm HPC 工藝制造(可能不是近期制造)支持8個(gè)內(nèi)存通道，也支持8個(gè)內(nèi)存通道。ONFI 4.0、軟 LDPC 解碼、RAID、監(jiān)控和電源管理的功耗約為2瓦至4瓦。

主控適用于各種外觀尺寸的固態(tài)硬盤(pán)，包括半高/半長(zhǎng)附加卡和標(biāo)準(zhǔn)M.2固態(tài)硬盤(pán)、企業(yè)和數(shù)據(jù)中心固態(tài)硬盤(pán)等。 3D MLC、TLC 和 QLC NAND。目前，該主控已驗(yàn)證了與鎂等制造商儲(chǔ)存顆粒的固態(tài)硬盤(pán)。

——那么主控固態(tài)硬盤(pán)的實(shí)際性能和體驗(yàn)如何呢？

ASIC v1主要側(cè)重于數(shù)據(jù)安全，與2兼容D 、3D MLC和pMLC NAND存儲(chǔ)類(lèi)型的顆粒只支持PCIe 2.0 x最大容量為4標(biāo)準(zhǔn) 2TB。其持續(xù)讀寫(xiě)性能分別為 830 MBps 和 680 MBps，隨機(jī)讀寫(xiě)性能為65000 IOPS 和55,000 IOPS。

ASIC v2主要側(cè)重于性能， 采用俄羅斯GS Nanotech儲(chǔ)存顆粒由鎂光和鎧俠制成 PCIe 4.0 x4 接口，高容量 16TB， 連續(xù)讀寫(xiě)性能分別為971.32 MBps 和 476.65 MBps，隨機(jī)讀寫(xiě)性能分別超過(guò)2萬(wàn)萬(wàn) Diodes代理IOPS和150000 IOPS。

目前，卡夫威尚未公布這兩款固態(tài)硬盤(pán)的具體價(jià)格，但其確認(rèn)已開(kāi)始小批量發(fā)貨，計(jì)劃于2023年發(fā)貨 開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)自研控制器。

俄羅斯科技公司值得尊敬，希望克服困難，發(fā)展得越來(lái)越好。