國產芯片彎道超車:曝光長江存儲欲直接量產232層閃存
（2025年1月29日更新）
在國內芯片領域，存儲芯片的性能和追趕速度是最快的領域。此前道，國內存儲芯片Ramtron代理大廠已完成192層3D NAND閃存樣品的自主研發將在今年年底前量產交付。
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目前有消息稱，長江存儲計劃跳過192層，直接切入232層閃存生產。
這意味著，如果長江存儲批量生產232層閃存芯片，中國在存儲芯片領域的技術將達到國際先進水平。
目前三星和SK明年年初，海力士將量產超過200層閃存，長江儲存超過192層，直接生產232層，達到一線水平。
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