國產(chǎn)芯片彎道超車:曝光長(zhǎng)江存儲(chǔ)欲直接量產(chǎn)232層閃存
（2025年5月7日更新）
在國內(nèi)芯片領(lǐng)域，存儲(chǔ)芯片的性能和追趕速度是最快的領(lǐng)域。此前道，國內(nèi)存儲(chǔ)芯片Ramtron代理大廠已完成192層3D NAND閃存樣品的自主研發(fā)將在今年年底前量產(chǎn)交付。
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目前有消息稱，長(zhǎng)江存儲(chǔ)計(jì)劃跳過192層，直接切入232層閃存生產(chǎn)。
這意味著，如果長(zhǎng)江存儲(chǔ)批量生產(chǎn)232層閃存芯片，中國在存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域的技術(shù)將達(dá)到國際先進(jìn)水平。
目前三星和SK明年年初，海力士將量產(chǎn)超過200層閃存，長(zhǎng)江儲(chǔ)存超過192層，直接生產(chǎn)232層，達(dá)到一線水平。
熱門關(guān)注的型號(hào)及相關(guān)品牌：
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