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高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉換產品的先驅和全球供應商Transphorm, Inc.(Nasdaq: TGAN)全球電力產品和電動汽車充電站供應商飛宏宣布(Phihong)新推出的65W 2C1A USB PD該公司采用氮化鎵技術。采用這種適配器Transphorm的SuperGaN第四代技術是氮化鎵場效應管(FET)平臺具有系統設計簡單、元件數量少、性能高、可靠性一流等優點。

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飛宏的65W51 x 55.3 x 29 mm)，配備兩個USB-C端口和一個USB-A端口(2C1A)，三臺設備可同時充電。該充電器采用單個650V SuperGaN器件TP65H300G4LSG，采用準諧振反激模式(QRF)與拓撲結構的硅解決方案相比，功率損失可減少約17%。該適配器還提供高達655W的USB PD和PPS功能。

TP65H300G4LSG是240毫歐，通過JEDEC認證的PQFN88表面貼裝器件，具有±18V柵極安全裕度。FET是建立在QRF、有源鉗位反激模式(ACF)或LLC諧振拓撲結構150W或以下低功率應用的理想選擇。

Transphorm的TP65H300G4LSG與硅類似的閾值水平和高柵極擊穿電壓(最大±18 V）。無負偏置電壓，可與現成的控制器(包括帶集成驅動器的控制器)配合使用。這些功能可以簡化電源系統的設計，消除對額外外圍電路的需求，減少元件數量，增加整個系統的可靠性，飛宏決定使用Transphorm FET關鍵原因。

飛宏生產各種可靠的電源解決方案，深受電子設備公司的信賴。公司對氮化鎵功率密度優勢的理解使其決定建立一個新的氮化鎵適配器。Transphorm的氮化ISSI代理鎵FET它具有簡單的設計性和驅動性，并且具有高柵極魯棒性，因此飛宏很快決定選擇Transphorm作為氮化鎵器件的合作伙伴。

根據Facts and Factors預計到2026年，全球交流轉直流適配器市場規模將達到18.54億美元，年復合增長率為12.7%。Transphorm最近在5月份的報告中也表示，其240毫歐器件的發展勢頭正在加強，公司獲得了亞洲大型手機(65W)項目和領先WW電子零售商(140W)項目的ODM預生產訂單。此外，該公司的市場份額增長也得益于另一個筆記本適配器設計項目，成功贏得了財富前100強企業，其中包括5萬個SuperGaN 240毫歐FET初始采購訂單。這些FET可以為65W快速充電適配器應用程序提供更高的效率，競爭對手e-mode氮化鎵FET需要更大的150毫歐裝置來滿足類似應用程序的需求。因此，這些Transphorm SuperGaN FET使客戶能夠使用更小的設備來實現更強的性能。

Transphorm亞太銷售副總裁Kenny Yim說：我們的SuperGaN平臺從一開始就圍繞可靠性、可設計性、可驅動性和可重復性四個關鍵原則構建。我們的240毫歐裝置也不例外。我們讓適配器制造商設計體積小、重量輕、發熱少的產品，并提供先進的前沿USB充電功能。這些創新正在促進氮化鎵在全球適配器市場的應用，使我們能夠通過大規模生產來支持高性能的解決方案，從而鞏固我們的市場地位。”

TP65H300G4LSG目前過得捷電子和貿澤電子獲得。

關于飛宏

飛宏是開發世界級電源解決方案和電動汽車充電產品的全球領導者。他有50多年的成熟經驗，年收入超過6億美元。公司繼續為電動汽車和醫療、數據通信、電信、個人電子設備和網絡市場充電OEM制造商提供領先的解決方案。飛宏擁有6500多名員工，在加州、紐約、荷蘭、中國大陸、日本、越南和臺灣設有設計實驗室、生產設施和銷售支持中心。

關于Transphorm

Transphorm, Inc.它是氮化鎵革命的全球領導者，致力于高性能、高可靠性的氮化鎵半導體功率器件的設計、制造和銷售。Transphorm擁有最大功率氮化鎵知識產權組合之一，擁有或授權的專利超過1000項，率先在業內生產JEDEC和AEC-Q高壓氮化鎵半導體器件101認證。由于業務模式的垂直整合，Transphorm設計、制造、設備和應用支持可以在產品和技術開發的各個階段進行創新。Transphorm為了使效率超過99%，提高功率密度40%，降低系統成本，創新正在突破硅的局限性。Transphorm總部位于加州戈利塔，在戈利塔和日本會津設有制造工廠。