產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：GeneSiC
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)，器件封裝：TO-263-7
- 技術(shù)參數(shù)：SIC MOSFET N-CH 4A TO263-7
- 豐富的GeneSiC公司產(chǎn)品，GeneSiC芯片采購(gòu)平臺(tái)
- 提供當(dāng)日發(fā)貨、嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，滿足您的目標(biāo)價(jià)格
點(diǎn)擊下圖下載技術(shù)文檔
G2R1000MT33J 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號(hào)：G2R1000MT33J
- 制造商：GeneSiC Semiconductor
- 描述：SIC MOSFET N-CH 4A TO263-7
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)
- 產(chǎn)品系列：G2R?
- 零件狀態(tài)：有源
- FET類型：N 通道
- 技術(shù)：SiCFET（碳化硅）
- 漏源電壓（Vdss）：3300V
- 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：4A（Tc）
- 驅(qū)動(dòng)電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：20V
- 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：1.2 歐姆 @ 2A，20V
- 不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 2mA
- 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：21nC @ 20V
- Vgs（最大值）：+20V，-5V
- 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：238pF @ 1000V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：74W（Tc）
- 工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 器件封裝：TO-263-7
- G2R1000MT33J優(yōu)勢(shì)代理貨源，國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的GeneSiC芯片采購(gòu)服務(wù)平臺(tái)。
芯片采購(gòu)網(wǎng)專注整合國(guó)內(nèi)外授權(quán)GeneSiC代理的現(xiàn)貨資源，輕松采購(gòu)IC芯片，是國(guó)內(nèi)專業(yè)的芯片采購(gòu)平臺(tái)