產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：GeneSiC
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個，器件封裝：TO-263-7
- 技術(shù)參數(shù)：SIC MOSFET N-CH 42A TO263-7
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G3R75MT12J 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：G3R75MT12J
- 制造商：GeneSiC Semiconductor
- 描述：SIC MOSFET N-CH 42A TO263-7
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個
- 產(chǎn)品系列：G3R?
- 零件狀態(tài)：有源
- FET類型：N 通道
- 技術(shù)：SiCFET（碳化硅）
- 漏源電壓（Vdss）：1200V
- 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：42A（Tc）
- 驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：15V
- 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：90 毫歐 @ 20A，15V
- 不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：2.69V @ 7.5mA
- 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：54nC @ 15V
- Vgs（最大值）：±15V
- 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：1560pF @ 800V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：224W（Tc）
- 工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 器件封裝：TO-263-7
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