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- 制造廠商：安森美
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列，封裝：8-SMD，扁平引線
- 技術參數：MOSFET N/P-CH 60V 3A/2.5A VEC8
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VEC2616-TL-H-Z 技術參數詳情：
- 制造商產品型號：VEC2616-TL-H-Z
- 制造商：ON安森美半導體（ONSEMI）
- 描述：MOSFET N/P-CH 60V 3A/2.5A VEC8
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
- 產品系列：-
- 零件狀態：停產
- FET類型：N 和 P 溝道
- FET功能：邏輯電平柵極，4V 驅動
- 漏源電壓（Vdss）：60V
- 25°C時電流-連續漏極(Id)：3A，2.5A
- 不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：80 毫歐 @ 1.5A，10V
- 不同Id時Vgs(th)（最大值）：-
- 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：10nC @ 10V
- 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：505pF @ 20V
- 功率-最大值：1W
- 工作溫度：-
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：8-SMD，扁平引線
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