產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：安森美
- 類別封裝：晶體管 - JFET，封裝：3-SMD，扁平引線
- 技術(shù)參數(shù)：JFET N-CH 1MA 100MW
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TF262TH-4-TL-H 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：TF262TH-4-TL-H
- 制造商：ON安森美半導(dǎo)體（ONSEMI）
- 描述：JFET N-CH 1MA 100MW
- 系列：晶體管 - JFET
- 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
- FET類型：N 通道
- 電壓-擊穿(V(BR)GSS)：-
- 漏源電壓（Vdss）：-
- 不同Vds(Vgs=0)時電流-漏極(Idss)：140μA @ 2V
- 漏極電流(Id)-最大值：1mA
- 不同Id時電壓-截止(VGSoff)：200mV @ 1μA
- 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：3.5pF @ 2V
- 電阻-RDS(On)：-
- 功率-最大值：100mW
- 工作溫度：150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：3-SMD，扁平引線
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