產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：安森美
- 類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
- 技術(shù)參數(shù)：IGBT 600V 8A 60W D2PAK
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SGW5N60RUFDTM 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：SGW5N60RUFDTM
- 制造商：ON安森美半導(dǎo)體（ONSEMI）
- 描述：IGBT 600V 8A 60W D2PAK
- 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 產(chǎn)品系列：-
- 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
- IGBT類型：-
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：600V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：8A
- 電流-集電極脈沖(Icm)：15A
- 不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.8V @ 15V，5A
- 功率-最大值：60W
- 開關(guān)能量：88μJ（開），107μJ（關(guān)）
- 輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
- 柵極電荷：16nC
- 25°C時Td（開/關(guān)）值：13ns/34ns
- 測試條件：300V，5A，40 歐姆，15V
- 反向恢復(fù)時間(trr)：55ns
- 工作溫度：-
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
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