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RFD12N06RLESM9A 圖片
  • 制造廠商:安森美
  • 類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 單個,器件封裝:TO-252AA
  • 技術參數:MOSFET N-CH 60V 18A TO252AA
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RFD12N06RLESM9A 技術參數詳情:
  • 制造商產品型號:RFD12N06RLESM9A
  • 制造商:ON安森美半導體(ONSEMI)
  • 描述:MOSFET N-CH 60V 18A TO252AA
  • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
  • 產品系列:UltraFET?
  • 零件狀態:有源
  • FET類型:N 通道
  • 技術:MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源電壓(Vdss):60V
  • 25°C時電流-連續漏極(Id):18A(Tc)
  • 驅動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V
  • 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):63 毫歐 @ 18A,10V
  • 不同Id時Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA
  • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):15nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±16V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):485pF @ 25V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):49W(Tc)
  • 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 器件封裝:TO-252AA
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