產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：安森美
- 類別封裝：晶體管 - IGBT - 模塊，封裝：-
- 技術(shù)參數(shù)：PIM 1200V, 40A DUAL BOOST
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NXH80B120H2Q0SG 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：NXH80B120H2Q0SG
- 制造商：ON安森美半導(dǎo)體（ONSEMI）
- 描述：PIM 1200V, 40A DUAL BOOST
- 系列：晶體管 - IGBT - 模塊
- 零件狀態(tài)：有源
- IGBT類型：-
- 配置：-
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：-
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：-
- 功率-最大值：-
- 不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)（最大值）：-
- 電流-集電極截止（最大值）：-
- 不同?Vce時(shí)輸入電容(Cies)：-
- 輸入：-
- NTC熱敏電阻：-
- 工作溫度：-
- 安裝類型：-
- 封裝：-
- NXH80B120H2Q0SG優(yōu)勢代理貨源，國內(nèi)領(lǐng)先的安森美芯片采購服務(wù)平臺。
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