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- 制造廠商：安森美
- 類別封裝：晶體管 - IGBT - 模塊，封裝：26-PowerDIP 模塊（1，199，47，20mm）
- 技術參數(shù)：IGBT MOD 1200V 35A 26DIP
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NXH35C120L2C2S1G 技術參數(shù)詳情：
- 制造商產品型號：NXH35C120L2C2S1G
- 制造商：ON安森美半導體（ONSEMI）
- 描述：IGBT MOD 1200V 35A 26DIP
- 系列：晶體管 - IGBT - 模塊
- 零件狀態(tài)：有源
- IGBT類型：-
- 配置：三相反相器，帶制動器
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：1200V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：35A
- 功率-最大值：20mW
- 不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.4V @ 15V，35A
- 電流-集電極截止（最大值）：250μA
- 不同?Vce時輸入電容(Cies)：8.33nF @ 20V
- 輸入：三相橋式整流器
- NTC熱敏電阻：是
- 工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：通孔
- 封裝：26-PowerDIP 模塊（1，199，47，20mm）
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