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NVMFD6H852NLT1G 圖片
  • 制造廠商:安森美
  • 類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 單個,器件封裝:8-DFN(5x6)雙標記(SO8FL-雙通道)
  • 技術參數:MOSFET N-CH 80V 7A/25A 8DFN DL
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NVMFD6H852NLT1G 技術參數詳情:
  • 制造商產品型號:NVMFD6H852NLT1G
  • 制造商:ON安森美半導體(ONSEMI)
  • 描述:MOSFET N-CH 80V 7A/25A 8DFN DL
  • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
  • 產品系列:Automotive, AEC-Q101
  • 零件狀態:有源
  • FET類型:N 通道
  • 技術:MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源電壓(Vdss):80V
  • 25°C時電流-連續漏極(Id):7A(Ta),25A(Tc)
  • 驅動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V
  • 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):25.5 毫歐 @ 10A,10V
  • 不同Id時Vgs(th)(最大值):2V @ 26μA
  • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):10nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):521pF @ 40V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):3.2W(Ta),38W(Tc)
  • 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 器件封裝:8-DFN(5x6)雙標記(SO8FL-雙通道)
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