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- 制造廠商：安森美
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列，封裝：表面貼裝型
- 技術參數：MOSFET - POWER, DUAL N-CHANNEL
- 豐富的安森美公司產品，安森美芯片采購平臺
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NVMFD6H846NLT1G 技術參數詳情：
- 制造商產品型號：NVMFD6H846NLT1G
- 制造商：ON安森美半導體（ONSEMI）
- 描述：MOSFET - POWER, DUAL N-CHANNEL
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
- 產品系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）
- 零件狀態：Automotive, AEC-Q101
- FET類型：有源
- FET功能：2 N-通道（雙）
- 漏源電壓（Vdss）：標準
- 25°C時電流-連續漏極(Id)：80V
- 不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：9，4A（Ta），31A（Tc）
- 不同Id時Vgs(th)（最大值）：15 毫歐 @ 5A，10V
- 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：2V @ 21μA
- 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：17nC @ 10V
- 功率-最大值：900pF @ 40V
- 工作溫度：3，2W（Ta），34W（Tc）
- 安裝類型：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 封裝：表面貼裝型
- NVMFD6H846NLT1G優勢代理貨源，國內領先的安森美芯片采購服務平臺。
