產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：安森美
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列，封裝：8-PowerTDFN
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET 2N-CH 60V 6A 8SOIC
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NVMFD5877NLT1G 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：NVMFD5877NLT1G
- 制造商：ON安森美半導(dǎo)體（ONSEMI）
- 描述：MOSFET 2N-CH 60V 6A 8SOIC
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
- 產(chǎn)品系列：-
- 零件狀態(tài)：不適用於新設(shè)計
- FET類型：2 N-通道（雙）
- FET功能：邏輯電平門
- 漏源電壓（Vdss）：60V
- 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：6A
- 不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻（最大值）：39 毫歐 @ 7.5A，10V
- 不同Id時Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA
- 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：20nC @ 10V
- 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：540pF @ 25V
- 功率-最大值：3.2W
- 工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：8-PowerTDFN
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