產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：安森美
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個，器件封裝：SOT-223（TO-261）
- 技術參數(shù)：MOSFET P-CH 60V 2.6A SOT223
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NVF2955T1G 技術參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：NVF2955T1G
- 制造商：ON安森美半導體（ONSEMI）
- 描述：MOSFET P-CH 60V 2.6A SOT223
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個
- 產(chǎn)品系列：Automotive, AEC-Q101
- 零件狀態(tài)：有源
- FET類型：P 通道
- 技術：MOSFET（金屬氧化物）
- 漏源電壓（Vdss）：60V
- 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：2.6A（Ta）
- 驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
- 不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：170 毫歐 @ 750mA，10V
- 不同Id時Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA
- 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：14.3nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：492pF @ 25V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：1W（Ta）
- 工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 器件封裝：SOT-223（TO-261）
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