產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：安森美
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列，封裝：12-PowerWQFN
- 技術參數(shù)：MOSFET N-CH 30V 12WQFN
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NTTFD2D8N03P1E 技術參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：NTTFD2D8N03P1E
- 制造商：ON安森美半導體（ONSEMI）
- 描述：MOSFET N-CH 30V 12WQFN
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
- 產(chǎn)品系列：PowerTrench?
- 零件狀態(tài)：有源
- FET類型：2 N-通道（雙）
- FET功能：標準
- 漏源電壓（Vdss）：30V
- 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：16.1A（Ta），80A（Tc）
- 不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：2.5 毫歐 @ 18A，10V
- 不同Id時Vgs(th)（最大值）：3V @ 400μA
- 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：20.8nC @ 10V，20.5nC @ 10V
- 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：1500pF @ 15V，1521pF @ 15V
- 功率-最大值：1.04W（Ta），26W（Ta）
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：12-PowerWQFN
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