產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：安森美
- 類(lèi)別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列，封裝：8-PowerWDFN
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET N-CH 20V 8PQFN
- 豐富的安森美公司產(chǎn)品，安森美芯片采購(gòu)平臺(tái)
- 提供當(dāng)日發(fā)貨、嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，滿(mǎn)足您的目標(biāo)價(jià)格
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NTMFD1D4N02P1E 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號(hào)：NTMFD1D4N02P1E
- 制造商：ON安森美半導(dǎo)體（ONSEMI）
- 描述：MOSFET N-CH 20V 8PQFN
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
- 產(chǎn)品系列：-
- 零件狀態(tài)：有源
- FET類(lèi)型：2 N 溝道（雙）非對(duì)稱(chēng)型
- FET功能：標(biāo)準(zhǔn)
- 漏源電壓（Vdss）：25V
- 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：13A（Ta），74A（Tc），24A（Ta），155A（Tc）
- 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：3.3 毫歐 @ 20A，10V，1.1 毫歐 @ 37A，10V
- 不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA，2V @ 800μA
- 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：7.2nC @ 4.5V，21.5nC @ 4.5V
- 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：1180pF @ 13V，3603pF @ 13V
- 功率-最大值：960mW（Ta），1W（Ta）
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類(lèi)型：表面貼裝型
- 封裝：8-PowerWDFN
- NTMFD1D4N02P1E優(yōu)勢(shì)代理貨源，國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的安森美芯片采購(gòu)服務(wù)平臺(tái)。
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