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NTMD2C02R2G 圖片
  • 制造廠商:安森美
  • 類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列,封裝:8-SOIC(0.154,3.90mm 寬)
  • 技術參數(shù):MOSFET N/P-CH 20V 8SOIC
  • 豐富的安森美公司產品,安森美芯片采購平臺
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NTMD2C02R2G 技術參數(shù)詳情:
  • 制造商產品型號:NTMD2C02R2G
  • 制造商:ON安森美半導體(ONSEMI)
  • 描述:MOSFET N/P-CH 20V 8SOIC
  • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
  • 產品系列:-
  • 零件狀態(tài):停產
  • FET類型:N 和 P 溝道
  • FET功能:邏輯電平門
  • 漏源電壓(Vdss):20V
  • 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id):5.2A,3.4A
  • 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):43 毫歐 @ 4A,4.5V
  • 不同Id時Vgs(th)(最大值):1.2V @ 250μA
  • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):20nC @ 4.5V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):1100pF @ 10V
  • 功率-最大值:2W
  • 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 封裝:8-SOIC(0.154,3.90mm 寬)
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