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熱門產(chǎn)品型號
產(chǎn)品參考圖片
NSVEMD4DXV6T5G 圖片
  • 制造廠商:安森美
  • 類別封裝:晶體管 - 雙極(BJT)- 陣列 - 預偏置,封裝:SOT-563,SOT-666
  • 技術(shù)參數(shù):TRANS NPN/PNP DUAL BRT SOT563
  • 豐富的安森美公司產(chǎn)品,安森美芯片采購平臺
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NSVEMD4DXV6T5G 技術(shù)參數(shù)詳情:
  • 制造商產(chǎn)品型號:NSVEMD4DXV6T5G
  • 制造商:ON安森美半導體(ONSEMI)
  • 描述:TRANS NPN/PNP DUAL BRT SOT563
  • 系列:晶體管 - 雙極(BJT)- 陣列 - 預偏置
  • 零件狀態(tài):有源
  • 晶體管類型:1 個 NPN,1 個 PNP - 預偏壓式(雙)
  • 電流-集電極(Ic)(最大值):100mA
  • 電壓-集射極擊穿(最大值):50V
  • 電阻器-基極(R1):47 千歐,10 千歐
  • 電阻器-發(fā)射極(R2):47 千歐
  • 不同?Ic、Vce?時DC電流增益(hFE)(最小值):80 @ 5mA,10V
  • 不同?Ib、Ic時?Vce飽和壓降(最大值):250mV @ 300μA,10mA
  • 電流-集電極截止(最大值):500nA
  • 頻率-躍遷:-
  • 功率-最大值:500mW
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 封裝:SOT-563,SOT-666
  • NSVEMD4DXV6T5G優(yōu)勢代理貨源,國內(nèi)領(lǐng)先的安森美芯片采購服務(wù)平臺。
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