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- 制造廠商：安森美
- 類別封裝：晶體管 - 雙極（BJT）- 陣列 - 預偏置，封裝：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
- 技術參數：TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT363
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NSM21156DW6T1G 技術參數詳情：
- 制造商產品型號：NSM21156DW6T1G
- 制造商：ON安森美半導體（ONSEMI）
- 描述：TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT363
- 系列：晶體管 - 雙極（BJT）- 陣列 - 預偏置
- 零件狀態：停產
- 晶體管類型：1 NPN 預偏壓式，1 PNP
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：100mA
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：50V，65V
- 電阻器-基極(R1)：10 千歐
- 電阻器-發射極(R2)：10 千歐
- 不同?Ic、Vce?時DC電流增益(hFE)（最小值）：35 @ 5mA，10V / 220 @ 2mA，5V
- 不同?Ib、Ic時?Vce飽和壓降（最大值）：250mV @ 300μA，10mA / 300mV @ 500μA，10mA
- 電流-集電極截止（最大值）：500nA
- 頻率-躍遷：-
- 功率-最大值：230mW
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
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