產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：安森美
- 類別封裝：晶體管 - 雙極（BJT）- 陣列 - 預(yù)偏置，封裝：SOT-563，SOT-666
- 技術(shù)參數(shù)：SS SOT563 RSTR XSTR TR
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NSBC115EPDXV6T1G 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：NSBC115EPDXV6T1G
- 制造商：ON安森美半導(dǎo)體（ONSEMI）
- 描述：SS SOT563 RSTR XSTR TR
- 系列：晶體管 - 雙極（BJT）- 陣列 - 預(yù)偏置
- 零件狀態(tài)：有源
- 晶體管類型：1 個(gè) NPN，1 個(gè) PNP - 預(yù)偏壓式（雙）
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：100mA
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：50V
- 電阻器-基極(R1)：100 千歐
- 電阻器-發(fā)射極(R2)：100 千歐
- 不同?Ic、Vce?時(shí)DC電流增益(hFE)（最小值）：80 @ 5mA，10V
- 不同?Ib、Ic時(shí)?Vce飽和壓降（最大值）：250mV @ 300μA，10mA
- 電流-集電極截止（最大值）：500nA
- 頻率-躍遷：-
- 功率-最大值：357mW
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：SOT-563，SOT-666
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