產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：安森美
- 類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：模具
- 技術(shù)參數(shù)：IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE
- 豐富的安森美公司產(chǎn)品，安森美芯片采購(gòu)平臺(tái)
- 提供當(dāng)日發(fā)貨、嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，滿足您的目標(biāo)價(jià)格
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NGTD20T120F2WP 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號(hào)：NGTD20T120F2WP
- 制造商：ON安森美半導(dǎo)體（ONSEMI）
- 描述：IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE
- 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 產(chǎn)品系列：-
- 零件狀態(tài)：有源
- IGBT類型：溝槽型場(chǎng)截止
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：1200V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：-
- 電流-集電極脈沖(Icm)：100A
- 不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)（最大值）：2.4V @ 15V，20A
- 功率-最大值：-
- 開關(guān)能量：-
- 輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
- 柵極電荷：-
- 25°C時(shí)Td（開/關(guān)）值：-
- 測(cè)試條件：-
- 反向恢復(fù)時(shí)間(trr)：-
- 工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：模具
- NGTD20T120F2WP優(yōu)勢(shì)代理貨源，國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的安森美芯片采購(gòu)服務(wù)平臺(tái)。
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