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- 制造廠商：安森美
- 類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：模具
- 技術參數：IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
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NGTD17T65F2WP 技術參數詳情：
- 制造商產品型號：NGTD17T65F2WP
- 制造商：ON安森美半導體（ONSEMI）
- 描述：IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
- 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 產品系列：-
- 零件狀態：有源
- IGBT類型：溝槽型場截止
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：650V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：-
- 電流-集電極脈沖(Icm)：160A
- 不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，40A
- 功率-最大值：-
- 開關能量：-
- 輸入類型：標準
- 柵極電荷：-
- 25°C時Td（開/關）值：-
- 測試條件：-
- 反向恢復時間(trr)：-
- 工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：模具
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