產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：安森美
- 類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：TO-247-3
- 技術(shù)參數(shù)：IGBT 600V 30A TO247
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NGTB30N60L2WG 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：NGTB30N60L2WG
- 制造商：ON安森美半導(dǎo)體（ONSEMI）
- 描述：IGBT 600V 30A TO247
- 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 產(chǎn)品系列：-
- 零件狀態(tài)：最後搶購
- IGBT類型：-
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：600V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：100A
- 電流-集電極脈沖(Icm)：60A
- 不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：1.6V @ 15V，30A
- 功率-最大值：225W
- 開關(guān)能量：310μJ（開），1.14mJ（關(guān)）
- 輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
- 柵極電荷：166nC
- 25°C時Td（開/關(guān)）值：100ns/390ns
- 測試條件：300V，30A，30 歐姆，15V
- 反向恢復(fù)時間(trr)：70ns
- 工作溫度：175°C（TJ）
- 安裝類型：通孔
- 封裝：TO-247-3
- NGTB30N60L2WG優(yōu)勢代理貨源，國內(nèi)領(lǐng)先的安森美芯片采購服務(wù)平臺。
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