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NGTB20N120LWG 圖片

NGTB20N120LWG

制造廠商：安森美
類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：TO-247-3
技術參數：IGBT 1200V 40A 192W TO247-3
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NGTB20N120LWG 技術參數詳情：

制造商產品型號：NGTB20N120LWG
制造商：ON安森美半導體（ONSEMI）
描述：IGBT 1200V 40A 192W TO247-3
系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
產品系列：-
零件狀態：停產
IGBT類型：溝槽型場截止
電壓-集射極擊穿（最大值）：1200V
電流-集電極(Ic)（最大值）：40A
電流-集電極脈沖(Icm)：200A
不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.2V @ 15V，20A
功率-最大值：192W
開關能量：3.1mJ（開），700μJ（關）
輸入類型：標準
柵極電荷：200nC
25°C時Td（開/關）值：86ns/235ns
測試條件：600V，20A，10 歐姆，15V
反向恢復時間(trr)：-
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：通孔
封裝：TO-247-3
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