產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：安森美
- 類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
- 技術(shù)參數(shù)：IGBT 430V 18A 115W D2PAK
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NGB18N40CLBT4G 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：NGB18N40CLBT4G
- 制造商：ON安森美半導(dǎo)體（ONSEMI）
- 描述：IGBT 430V 18A 115W D2PAK
- 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 產(chǎn)品系列：-
- 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
- IGBT類型：-
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：430V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：18A
- 電流-集電極脈沖(Icm)：50A
- 不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.5V @ 4V，15A
- 功率-最大值：115W
- 開關(guān)能量：-
- 輸入類型：邏輯
- 柵極電荷：-
- 25°C時Td（開/關(guān)）值：-
- 測試條件：-
- 反向恢復(fù)時間(trr)：-
- 工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
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