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- 制造廠商：安森美
- 類別封裝：單路IGBT，D2PAK
- 技術參數：IGBT 430V 18A 115W D2PAK3
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NGB18N40ACLBT4G 技術參數詳情：
- 制造商產品型號：NGB18N40ACLBT4G
- 制造商：ON安森美半導體（ONSEMI）
- 描述：IGBT 430V 18A 115W D2PAK3
- 系列：-
- IGBT 類型：-
- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：430V
- 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：18A
- Current - Collector Pulsed (Icm)：50A
- 不同 Vge、Ic 時的 Vce(on)：2.5V @ 4V，15A
- 功率 - 最大值：115W
- Switching Energy：-
- 輸入類型：邏輯
- Gate Charge：-
- 25°C 時 Td（開/關）值：-
- Test Condition：-
- 反向恢復時間 (trr)：-
- 產品封裝：TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB
- 安裝類型：表面貼裝
- 供應商器件封裝：D2PAK
- NGB18N40ACLBT4G優勢代理貨源，國內領先的安森美芯片采購服務平臺。
