產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：安森美
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列，封裝：16-SOIC（0.154，3.90mm 寬）
- 技術參數(shù)：MOSFET 3N/3P-CH 30V 3A SO16
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NDM3000 技術參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：NDM3000
- 制造商：ON安森美半導體（ONSEMI）
- 描述：MOSFET 3N/3P-CH 30V 3A SO16
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
- 產(chǎn)品系列：-
- 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
- FET類型：3 個 N 溝道和 3 個 P 溝道（3 相橋式）
- FET功能：邏輯電平門
- 漏源電壓（Vdss）：30V
- 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：3A
- 不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：90 毫歐 @ 3A，10V
- 不同Id時Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA
- 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：25nC @ 10V
- 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：360pF @ 10V
- 功率-最大值：1.4W
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：16-SOIC（0.154，3.90mm 寬）
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