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NDD04N50Z-1G 圖片
  • 制造廠商：安森美
  • 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個，器件封裝：I-PAK
  • 技術參數：MOSFET N-CH 500V 3A IPAK
  • 豐富的安森美公司產品，安森美芯片采購平臺
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NDD04N50Z-1G 技術參數詳情：
  • 制造商產品型號：NDD04N50Z-1G
  • 制造商：ON安森美半導體（ONSEMI）
  • 描述：MOSFET N-CH 500V 3A IPAK
  • 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個
  • 產品系列：-
  • 零件狀態：停產
  • FET類型：N 通道
  • 技術：MOSFET（金屬氧化物）
  • 漏源電壓（Vdss）：500V
  • 25°C時電流-連續漏極(Id)：3A（Tc）
  • 驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
  • 不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：2.7 歐姆 @ 1.5A，10V
  • 不同Id時Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 50μA
  • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：12nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±30V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：308pF @ 25V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：61W（Tc）
  • 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類型：通孔
  • 器件封裝：I-PAK
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