產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：安森美
- 類(lèi)別封裝：電源管理IC - 柵極驅(qū)動(dòng)器，產(chǎn)品封裝：8-SOIC（0.154，3.90mm 寬）
- 技術(shù)參數(shù)：ISOLATED COMPACT IGBT GATE DRIVE
- 豐富的安森美公司產(chǎn)品，安森美芯片采購(gòu)平臺(tái)
- 提供當(dāng)日發(fā)貨、嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，滿足您的目標(biāo)價(jià)格
點(diǎn)擊下圖下載技術(shù)文檔
NCV57200DR2G 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號(hào)：NCV57200DR2G
- 制造商：ON安森美半導(dǎo)體（ONSEMI）
- 描述：ISOLATED COMPACT IGBT GATE DRIVE
- 產(chǎn)品系列：電源管理IC - 柵極驅(qū)動(dòng)器
- 包裝：卷帶（TR）,剪切帶（CT）
- 系列：Automotive, AEC-Q100
- 零件狀態(tài)：有源
- 驅(qū)動(dòng)配置：半橋
- 通道類(lèi)型：同步
- 驅(qū)動(dòng)器數(shù)：1
- 柵極類(lèi)型：IGBT
- 電壓-供電：20V
- 邏輯電壓?-VIL，VIH：0.9V，2.4V
- 電流-峰值輸出（灌入，拉出）：1.9A，2.3A
- 輸入類(lèi)型：非反相
- 高壓側(cè)電壓-最大值（自舉）：800V
- 上升/下降時(shí)間（典型值）：13ns，8ns
- 工作溫度：-40°C ~ 125°C（TA）
- 安裝類(lèi)型：表面貼裝型
- 產(chǎn)品封裝：8-SOIC（0.154，3.90mm 寬）
- NCV57200DR2G優(yōu)勢(shì)代理貨源，國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的安森美芯片采購(gòu)服務(wù)平臺(tái)。
芯片采購(gòu)網(wǎng)專(zhuān)注整合國(guó)內(nèi)外授權(quán)onsemi代理的現(xiàn)貨資源，輕松采購(gòu)IC芯片，是國(guó)內(nèi)專(zhuān)業(yè)的芯片采購(gòu)平臺(tái)