產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：安森美
- 類別封裝：電源管理IC - 柵極驅(qū)動器，產(chǎn)品封裝：8-SOIC（0.154，3.90mm 寬）
- 技術(shù)參數(shù)：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
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NCP5111DR2G 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：NCP5111DR2G
- 制造商：ON安森美半導(dǎo)體（ONSEMI）
- 描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
- 產(chǎn)品系列：電源管理IC - 柵極驅(qū)動器
- 包裝：卷帶（TR）,剪切帶（CT）
- 系列：-
- 零件狀態(tài)：有源
- 驅(qū)動配置：半橋
- 通道類型：同步
- 驅(qū)動器數(shù)：2
- 柵極類型：IGBT，N 溝道 MOSFET
- 電壓-供電：10V ~ 20V
- 邏輯電壓?-VIL，VIH：0.8V，2.3V
- 電流-峰值輸出（灌入，拉出）：250mA，500mA
- 輸入類型：非反相
- 高壓側(cè)電壓-最大值（自舉）：600V
- 上升/下降時間（典型值）：85ns，35ns
- 工作溫度：-40°C ~ 125°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 產(chǎn)品封裝：8-SOIC（0.154，3.90mm 寬）
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