產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：安森美
- 類別封裝：存儲器，產(chǎn)品封裝：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 技術(shù)參數(shù)：IC EPROM 1KBIT 1-WIRE SOT23-3
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N21C21ASNDT3G 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：N21C21ASNDT3G
- 制造商：ON安森美半導(dǎo)體（ONSEMI）
- 描述：IC EPROM 1KBIT 1-WIRE SOT23-3
- 產(chǎn)品系列：存儲器
- 包裝：卷帶（TR）
- 系列：-
- 零件狀態(tài)：有源
- 存儲器類型：非易失
- 存儲器格式：EPROM
- 技術(shù)：EPROM - OTP
- 存儲容量：1Kb（128 x 8）
- 存儲器接口：1-Wire?
- 時鐘頻率：-
- 寫周期時間-字，頁：5μs
- 訪問時間：-
- 電壓-供電：2.65V ~ 5.5V
- 工作溫度：-40°C ~ 85°C（TA）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 產(chǎn)品封裝：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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