產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：安森美
- 類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：TO-220-3
- 技術參數(shù)：IGBT 1200V 21A 167W TO220AB
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HGTP5N120BND 技術參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：HGTP5N120BND
- 制造商：ON安森美半導體（ONSEMI）
- 描述：IGBT 1200V 21A 167W TO220AB
- 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 產(chǎn)品系列：-
- 零件狀態(tài)：不適用於新設計
- IGBT類型：NPT
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：1200V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：21A
- 電流-集電極脈沖(Icm)：40A
- 不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.7V @ 15V，5A
- 功率-最大值：167W
- 開關能量：450μJ（開），390μJ（關）
- 輸入類型：標準
- 柵極電荷：53nC
- 25°C時Td（開/關）值：22ns/160ns
- 測試條件：960V，5A，25 歐姆，15V
- 反向恢復時間(trr)：65ns
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：通孔
- 封裝：TO-220-3
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