產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：安森美
- 類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：TO-247-3
- 技術(shù)參數(shù)：IGBT NPT 1200V 21A TO247-3
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HGTG5N120BND 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號(hào)：HGTG5N120BND
- 制造商：ON安森美半導(dǎo)體（ONSEMI）
- 描述：IGBT NPT 1200V 21A TO247-3
- 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 產(chǎn)品系列：-
- 零件狀態(tài)：不適用於新設(shè)計(jì)
- IGBT類型：NPT
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：1200V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：21A
- 電流-集電極脈沖(Icm)：40A
- 不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)（最大值）：2.7V @ 15V，5A
- 功率-最大值：167W
- 開(kāi)關(guān)能量：450μJ（開(kāi)），390μJ（關(guān)）
- 輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
- 柵極電荷：53nC
- 25°C時(shí)Td（開(kāi)/關(guān)）值：22ns/160ns
- 測(cè)試條件：960V，5A，25 歐姆，15V
- 反向恢復(fù)時(shí)間(trr)：65ns
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：通孔
- 封裝：TO-247-3
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