產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：安森美
- 類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：TO-247-3
- 技術(shù)參數(shù)：IGBT 600V 60A 208W TO247
- 豐富的安森美公司產(chǎn)品，安森美芯片采購(gòu)平臺(tái)
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HGTG30N60B3 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號(hào)：HGTG30N60B3
- 制造商：ON安森美半導(dǎo)體（ONSEMI）
- 描述：IGBT 600V 60A 208W TO247
- 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 產(chǎn)品系列：-
- 零件狀態(tài)：最後搶購(gòu)
- IGBT類型：-
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：600V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：60A
- 電流-集電極脈沖(Icm)：220A
- 不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)（最大值）：1.9V @ 15V，30A
- 功率-最大值：208W
- 開(kāi)關(guān)能量：500μJ（開(kāi)），680μJ（關(guān)）
- 輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
- 柵極電荷：170nC
- 25°C時(shí)Td（開(kāi)/關(guān)）值：36ns/137ns
- 測(cè)試條件：480V，30A，3 歐姆，15V
- 反向恢復(fù)時(shí)間(trr)：-
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：通孔
- 封裝：TO-247-3
- HGTG30N60B3優(yōu)勢(shì)代理貨源，國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的安森美芯片采購(gòu)服務(wù)平臺(tái)。
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