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- 制造廠商：安森美
- 類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
- 技術參數：IGBT 600V 70A 290W TO263AB
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HGT1S20N60A4S9A 技術參數詳情：
- 制造商產品型號：HGT1S20N60A4S9A
- 制造商：ON安森美半導體（ONSEMI）
- 描述：IGBT 600V 70A 290W TO263AB
- 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 產品系列：-
- 零件狀態：停產
- IGBT類型：-
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：600V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：70A
- 電流-集電極脈沖(Icm)：280A
- 不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.7V @ 15V，20A
- 功率-最大值：290W
- 開關能量：105μJ（開），150μJ（關）
- 輸入類型：標準
- 柵極電荷：142nC
- 25°C時Td（開/關）值：15ns/73ns
- 測試條件：390V，20A，3 歐姆，15V
- 反向恢復時間(trr)：-
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
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