產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠(chǎng)商：安森美
- 類(lèi)別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：TO-262-3，長(zhǎng)引線(xiàn)，I2Pak，TO-262AA
- 技術(shù)參數(shù)：IGBT 395V 37.7A 150W TO262AA
- 豐富的安森美公司產(chǎn)品，安森美芯片采購(gòu)平臺(tái)
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HGT1S20N36G3VL 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號(hào)：HGT1S20N36G3VL
- 制造商：ON安森美半導(dǎo)體（ONSEMI）
- 描述：IGBT 395V 37.7A 150W TO262AA
- 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 產(chǎn)品系列：-
- 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
- IGBT類(lèi)型：-
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：395V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：37.7A
- 電流-集電極脈沖(Icm)：-
- 不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)（最大值）：1.9V @ 5V，20A
- 功率-最大值：150W
- 開(kāi)關(guān)能量：-
- 輸入類(lèi)型：邏輯
- 柵極電荷：28.7nC
- 25°C時(shí)Td（開(kāi)/關(guān)）值：-/15μs
- 測(cè)試條件：300V，10A，25歐姆，5V
- 反向恢復(fù)時(shí)間(trr)：-
- 工作溫度：-40°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類(lèi)型：通孔
- 封裝：TO-262-3，長(zhǎng)引線(xiàn)，I2Pak，TO-262AA
- HGT1S20N36G3VL優(yōu)勢(shì)代理貨源，國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的安森美芯片采購(gòu)服務(wù)平臺(tái)。
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