產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：安森美
- 類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA
- 技術參數(shù)：IGBT 395V 37.7A 150W TO262AA
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HGT1S20N36G3VL 技術參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：HGT1S20N36G3VL
- 制造商：ON安森美半導體（ONSEMI）
- 描述：IGBT 395V 37.7A 150W TO262AA
- 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 產(chǎn)品系列：-
- 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
- IGBT類型：-
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：395V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：37.7A
- 電流-集電極脈沖(Icm)：-
- 不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：1.9V @ 5V，20A
- 功率-最大值：150W
- 開關能量：-
- 輸入類型：邏輯
- 柵極電荷：28.7nC
- 25°C時Td（開/關）值：-/15μs
- 測試條件：300V，10A，25歐姆，5V
- 反向恢復時間(trr)：-
- 工作溫度：-40°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：通孔
- 封裝：TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA
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