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- 制造廠商：安森美
- 類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
- 技術參數：IGBT 1200V 35A 298W TO263AB
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HGT1S10N120BNST 技術參數詳情：
- 制造商產品型號：HGT1S10N120BNST
- 制造商：ON安森美半導體（ONSEMI）
- 描述：IGBT 1200V 35A 298W TO263AB
- 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 產品系列：-
- 零件狀態：有源
- IGBT類型：NPT
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：1200V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：35A
- 電流-集電極脈沖(Icm)：80A
- 不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.7V @ 15V，10A
- 功率-最大值：298W
- 開關能量：320μJ（開），800μJ（關）
- 輸入類型：標準
- 柵極電荷：100nC
- 25°C時Td（開/關）值：23ns/165ns
- 測試條件：960V，10A，10 歐姆，15V
- 反向恢復時間(trr)：-
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
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