產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：安森美
- 類別封裝：晶體管 - IGBT - 模塊，封裝：30-DIP 模塊
- 技術(shù)參數(shù)：IGBT MODULE 650V 40A 300W F2
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FPF2C110BI07AS2 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：FPF2C110BI07AS2
- 制造商：ON安森美半導體（ONSEMI）
- 描述：IGBT MODULE 650V 40A 300W F2
- 系列：晶體管 - IGBT - 模塊
- 零件狀態(tài)：有源
- IGBT類型：-
- 配置：半橋
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：650V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：40A
- 功率-最大值：300W
- 不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.3V @ 15V，40A
- 電流-集電極截止（最大值）：250μA
- 不同?Vce時輸入電容(Cies)：-
- 輸入：標準
- NTC熱敏電阻：是
- 工作溫度：-40°C ~ 150°C
- 安裝類型：通孔
- 封裝：30-DIP 模塊
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