產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：安森美
- 類別封裝：晶體管 - IGBT - 模塊，封裝：EPM7
- 技術(shù)參數(shù)：IGBT MODULE 600V 75A 310W EPM7
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FP7G75US60 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：FP7G75US60
- 制造商：ON安森美半導(dǎo)體（ONSEMI）
- 描述：IGBT MODULE 600V 75A 310W EPM7
- 系列：晶體管 - IGBT - 模塊
- 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
- IGBT類型：-
- 配置：半橋
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：600V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：75A
- 功率-最大值：310W
- 不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.8V @ 15V，75A
- 電流-集電極截止（最大值）：250μA
- 不同?Vce時輸入電容(Cies)：4.515nF @ 30V
- 輸入：標準
- NTC熱敏電阻：無
- 工作溫度：-40°C ~ 125°C（TJ）
- 安裝類型：底座安裝
- 封裝：EPM7
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