產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：安森美
- 類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：TO-247-3 變式
- 技術參數(shù)：IGBT 950V 75A
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FGY75T95SQDT 技術參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：FGY75T95SQDT
- 制造商：ON安森美半導體（ONSEMI）
- 描述：IGBT 950V 75A
- 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 產(chǎn)品系列：-
- 零件狀態(tài)：有源
- IGBT類型：溝槽型場截止
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：950V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：150A
- 電流-集電極脈沖(Icm)：300A
- 不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.11V @ 15V，75A
- 功率-最大值：434W
- 開關能量：8.8mJ（開），3.2mJ（關）
- 輸入類型：標準
- 柵極電荷：137nC
- 25°C時Td（開/關）值：28.8ns/117ns
- 測試條件：600V，75A，4.7 歐姆，15V
- 反向恢復時間(trr)：259ns
- 工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：通孔
- 封裝：TO-247-3 變式
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