
- 制造廠商:安森美
- 類別封裝:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單,封裝:TO-264-3,TO-264AA
- 技術(shù)參數(shù):IGBT 1000V 60A 180W TO264
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FGL60N100BNTDTU 技術(shù)參數(shù)詳情:
- 制造商產(chǎn)品型號:FGL60N100BNTDTU
- 制造商:ON安森美半導體(ONSEMI)
- 描述:IGBT 1000V 60A 180W TO264
- 系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 產(chǎn)品系列:-
- 零件狀態(tài):不適用於新設(shè)計
- IGBT類型:NPT 和溝道
- 電壓-集射極擊穿(最大值):1000V
- 電流-集電極(Ic)(最大值):60A
- 電流-集電極脈沖(Icm):120A
- 不同?Vge、Ic時?Vce(on)(最大值):2.9V @ 15V,60A
- 功率-最大值:180W
- 開關(guān)能量:-
- 輸入類型:標準
- 柵極電荷:275nC
- 25°C時Td(開/關(guān))值:140ns/630ns
- 測試條件:600V,60A,51 歐姆,15V
- 反向恢復時間(trr):1.2μs
- 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:通孔
- 封裝:TO-264-3,TO-264AA
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