產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：安森美
- 類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：TO-264-3，TO-264AA
- 技術(shù)參數(shù)：IGBT 1000V 60A 180W TO264
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FGL60N100BNTD 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：FGL60N100BNTD
- 制造商：ON安森美半導體（ONSEMI）
- 描述：IGBT 1000V 60A 180W TO264
- 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 產(chǎn)品系列：-
- 零件狀態(tài)：不適用於新設(shè)計
- IGBT類型：NPT 和溝道
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：1000V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：60A
- 電流-集電極脈沖(Icm)：120A
- 不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.9V @ 15V，60A
- 功率-最大值：180W
- 開關(guān)能量：-
- 輸入類型：標準
- 柵極電荷：275nC
- 25°C時Td（開/關(guān)）值：140ns/630ns
- 測試條件：600V，60A，51 歐姆，15V
- 反向恢復時間(trr)：1.2μs
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：通孔
- 封裝：TO-264-3，TO-264AA
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